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参数目录38887
> SI8404DB-T1-E1 MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
型号:
SI8404DB-T1-E1
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI8404DB-T1-E1 PDF
产品目录绘图
DB-T1-E1 Series 4-MFP
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1950pF @ 4V
功率 - 最大
6.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装
4-Microfoot
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1660 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI8404DB-T1-E1CT
查看SI8404DB-T1-E1代理商
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40112
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
CPPLC1-LT76T
Cardinal Components Inc. OSC 3.3V PROG CMOS TRI ST 100PPM
IRFB16N50K
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
GNM2145C1H220KD01D
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PMH0603-100
Bourns Inc. FERRITE CHIP 10OHM 25% 0603 SMT
19-1082-00
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06035J0R5PBSTR
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SI8404DB-T1-E1
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP